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                半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21

                半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21圖片
                型號:TC-P21 品牌: 清瓷新材料
                供應商報價: 面議 參考報價:
                關注度:392 樣本: 暫無
                產地:浙江
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                杭州清瓷新材料科技有限公司

                • 廠商性質:生產商
                • 參展時間:1
                • 信用認證:工商已核實
                • 參觀人數:12463

                半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21 核心參數

                • 品級
                  工業級
                • 外觀
                  液體
                • 有效物質含量
                  -
                • 執行質量標準
                  -
                • 密度(g/c㎡)
                  -

                1. 產品特征

                淡黃色膏狀  

                90-120℃可熔融,180-350℃熱固化(不再軟化), 紫外光(200-350nm)可固化,激光可陶瓷化

                易溶于正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯等非質子有機溶劑。

                可添加填料,與許多基體粘合良好

                陶瓷化溫度T800℃,高陶瓷產率 >70%,高溫穩定性優異

                TC-P21是專為電子領域產品耐高溫涂層設計的一種固體聚硅氮烷樹脂,其低分子量組分含量很低,經熱解可獲得很高的陶瓷產率。TC-P21溶解在非質子溶劑中配制成涂料,建議質量濃度不高于10%,在金屬、硅、塑料、陶瓷等基材上涂覆成膜,涂覆方式可以是浸凃、噴涂、旋涂。涂層厚度既可以通過濃度控制,也可以通過操作控制。涂料中可以加入活性或者惰性填料,涂層的性能可以由填料調控。TC-P21的溶液可以作為粘合劑層使用。

                2. 產品應用

                TC-P21是一種可用的前驅體聚合物,可用干燥的非質子溶劑(烷烴、芳香族碳氫化合物、酯)溶解或用添加劑或填料(顏料、金屬或陶瓷粉末等)改性。根據性能需要可以配制不同濃度不同填料含量的涂料。

                TC-P21可在180-450℃熱固化,200-350nm紫外光照射下可以光固化。每種情況的固化條件(光強,溫度、時間、氣氛)都必須適合于基體的幾何形狀和組成。加入的添加劑或填料會影響固化條件。

                TC-P21800℃以上熱裂解可以轉化成無定形Si/C/N材料,這種材料在更高的溫度(>1400℃)會結晶成SiC/Si3N4/C納米復合材料。熱解后得到的材料在峰溫1450℃保持穩定,其與性能相關的性質如相組成、密度和機械性質極大的取決于操作和熱解條件。

                3. 技術數據

                外觀:淡黃色膏狀     聚合物含量:100%

                熔融溫度:90-120   固化:180~350紫外光(200-350nm

                陶瓷化:激光(1064nm

                 

                溶解性:溶于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、四氫呋喃二氯甲烷等有機溶劑

                保質期:低溫密封干燥保存24個月。

                4. 使用說明

                只有經專業訓練的人員才可使用本產品

                TC-P21對水分輕微敏感,可以在空氣中操作。

                5. 加工

                TC-P21可用于制備各種電子器件涂層,既可以做光刻膠,也可以做封裝材料

                TC-P21可配制成1-10wt%的溶液,其涂層(<1μm厚度)如果在不耐高溫的聚合物基材上,可以在空氣中用無極紫外燈/真空紫外光源照射1-2分鐘可固化成膜。

                TC-P21制備的薄膜在空氣、氮氣、氬氣、氫氣、氨氣或真空中1000℃熱解可轉化為無定形的Si/C/N材料。1000TC-P21失重量約為29%(惰性氣體中),同時其密度和硬度會加倍,在更高的溫度下(>1400℃)材料會結晶成Si3N4/SiC/C納米復合材料。固化或熱解過程中TC-P21材料性質的變化取決于所用氣氛。SiCN的氧化的拋物線速率常數kp=1.1×10-183.8×10-18m2/sCVDPVDSiC相當。

                32.png

                6. 應用

                TC-P21是一種負型光刻膠,可以制備幾個納米厚度薄層介電層,是一種玻璃化溫度高達1500的樹脂材料,是在耐溫性和高寬比方面比SiC更先進的一代半導體材料,可用于制備耐高溫1500的電子傳感器。

                7. 安全說明

                操作過程中需佩戴耐溶劑手套(如丁基膠手套或丁腈膠手套)

                使用合適的護眼設備(安全護目鏡或防護面具)

                TC-P21需遠離兒童,于陰涼(<25℃)干燥處儲存

                8. 產品存放與廢物處理

                TC-P21存放在陰涼(<25℃)干燥處。

                可以用有機溶劑(如正己烷、THF)除掉周邊未固化殘留TC-P21,固化或熱解后形成的材料不溶于有機溶劑,TC-P21污染的加工設備使用后應立即清洗。

                TC-P21的廢棄物不能和含質子物質(如:水)混合,必須在適宜的處理地點處理廢棄物。

                9. 技術服務

                我們的技術部門可解答性能、使用和化學規格方面的技術問題。

                所有的技術信息都是基于實際經驗的,實際條件改變時不能原封照搬,用戶需自行進行試驗,由于產品的使用已超出我們的管理范疇,所以我們只盡責保證產品始終如一的品質。


                半固態膏狀聚硅氮烷TC-P21 網址:http://qcxcl.cnpowder.com.cn/product_191344.html  

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